Lett. 在线发表了 福州大学肖方兴 教授在 金属纳米团簇本征不稳定性可控调制用于光催化产氢 上的研究成果。 背景介绍 肖方兴教授课题组已经证实，金属纳米团簇的不稳定性主要源于其在光照下原位自转变为金属纳米晶，导致其光响应能力大幅下降。
1、光催化剂莫特肖特基曲线测试不需要光照。光催化类的实验测只是测半导体与溶液接触时的电性质，不需要用光，测试中有光和无光似乎只影响数值（电容值）的大小，对曲线趋势和平带电位不影响。
2、条件是光源、电极、电位扫描。光催化莫特肖特基测试需要在光源下进行，采用可见光或紫外光作为激发光源，激发材料电子。将金属电极与光催化试样接触，形成莫特肖特基结构。在光照条件下，对莫特肖特基结构进行电位扫描，改变电位观察材料电容变化。
3、总结，本文报告了一种新型光催化剂Pd/DCN，其在可见光催化下表现出高反应活性和高选择性，对于炔烃选择性加氢具有重要意义。通过在类石墨碳化氮载体上负载钯纳米颗粒，并引入氮缺陷，研究者成功地优化了催化剂的性能。实验结果与理论计算共同证明了莫特-肖特基效应在催化活性和选择性提升中的关键作用。
频率变化发生弥散现象。莫特肖特基曲线测试出现散点原因是频率变化发生弥散现象导致的，莫特-肖特基曲线测试（M-S测试），是在一个线性电位扫描过程中叠加一个固定频率的交流阻抗测试，这个交流频率通常选择5-20kHz。
在探讨莫特-肖特基（Mott-Schottky，M-S）现象时，我们发现随着频率的增大，电容反而增大，这种反常现象引起了广泛关注。本文将详细介绍M-S曲线的数据处理过程以及如何解读实验数据。首先，M-S曲线的获取通常在电化学工作站上完成，我们推荐使用阻抗-电位谱（Impedance-Potential）技术。
莫特-肖特基Mott-Schottky曲线测试不仅提供了平带电位、价带和导带的计算方法，也揭示了电化学材料的电位特性与能带结构之间的关系，对于理解电化学材料的电化学性质和性能具有重要意义。
莫特-肖特基曲线的分析涉及到平带电位（Efb）的计算。当切线斜率为正值时，表明样品为n型半导体，平带电位通常位于导带（Ecb）之下，大约在0.1-0.3电子伏特的范围内。结合固体紫外光谱计算得出的带隙信息，可以进一步推算出价带（Evb）的数值。
频率设置为5HZ。M-S测试（莫特肖特基曲线测试），是在一个线性电位扫描过程中叠加一个固定频率的交流阻抗测试，这个交流频率一般选择5-20kHz，严格讲，不同样品可以先测试不同频率的情况，一般选择5kHz。
在散点图中，通常会观察到两个斜率为正的切线，这表明存在两种不同类型的n型半导体。选择其中一个进行平带电位（带隙）计算。通过计算斜率，可以推导出半导体的能带结构，进而求得导带和价带的位置。在计算平带电位时，我们可以采用两种方法。
莫特-肖特基曲线的分析涉及到平带电位（Efb）的计算。当切线斜率为正值时，表明样品为n型半导体，平带电位通常位于导带（Ecb）之下，大约在0.1-0.3电子伏特的范围内。结合固体紫外光谱计算得出的带隙信息，可以进一步推算出价带（Evb）的数值。
1、肖特基曲线是个直线的原因是由于金属半导体接触与欧姆接触和肖特基接触之间的关系形成了对应的电流至电压曲线为一条直线，根据欧姆定律分析即可。
2、莫特-肖特基曲线的分析涉及到平带电位（Efb）的计算。当切线斜率为正值时，表明样品为n型半导体，平带电位通常位于导带（Ecb）之下，大约在0.1-0.3电子伏特的范围内。结合固体紫外光谱计算得出的带隙信息，可以进一步推算出价带（Evb）的数值。
3、M-S测试（莫特肖特基曲线测试），是在一个线性电位扫描过程中叠加一个固定频率的交流阻抗测试，这个交流频率一般选择5-20kHz，严格讲，不同样品可以先测试不同频率的情况，一般选择5kHz。
4、关于M-S测量中两个不同线性区域的问题，文献中的一般解释是存在多个施主能级。
